Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2800030 N. Art. Produtt.:
SQS120ELNW-T1_GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 192 A
Tensione massima drain source = 30 V
Tipo di package = 1212-8SLW
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Modalità del canale = Enhancement
Numero di elementi per chip = 1 Altre informazioni: | | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 192 A | Tensione massima drain source: | 30 V | Tipo di package: | 1212-8SLW | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Numero pin: | 8 | Modalità del canale: | Enhancement | Numero di elementi per chip: | 1 | Materiale del transistor: | Silicone |
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| Altri termini di ricerca: 2800030, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQS120ELNWT1_GE3 |
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