Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 3369E-2800030 N. Art. Produtt.: SQS120ELNW-T1_GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 192 A Tensione massima drain source = 30 V Tipo di package = 1212-8SLW Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Modalità del canale = Enhancement Numero di elementi per chip = 1 Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 192 A | Tensione massima drain source: | 30 V | Tipo di package: | 1212-8SLW | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Numero pin: | 8 | Modalità del canale: | Enhancement | Numero di elementi per chip: | 1 | Materiale del transistor: | Silicone |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: 2800030, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQS120ELNWT1_GE3 |
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