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MOSFET Nexperia, canale N, 90 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-509576
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PHT6NQ10T,135
EAN/GTIN:
     5059043665245
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N, oltre 100 V, Nexperia
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
3 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
SOT-223
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
90 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
1,8 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.7mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 509576, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, PHT6NQ10T,135
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