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MOSFET Vishay, canale N, 200 mΩ, 10 A, TO-220AB, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-5411685
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRFZ14PBF
EAN/GTIN:
     5059040662568
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
10 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
TO-220AB
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
200 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
43 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.41mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 5411685, Semiconduttori, Discreti, Vishay, IRFZ14PBF
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7719477
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