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MOSFET Vishay, canale N, 750 mΩ, 5,5 A, TO-220FP, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-5411950
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRFIB6N60APBF
EAN/GTIN:
     5059040892354
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale N, da 600V a 1000V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
5,5 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO-220FP
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
750 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
60 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 5411950, Semiconduttori, Discreti, Vishay, IRFIB6N60APBF
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