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Articolo
MOSFET onsemi, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzo
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N. Articolo:
3369E-6710447
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FDN352AP
EAN/GTIN:
5059042845389
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c. I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello delle generazioni precedenti. Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare i circuiti di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
1,3 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOT-23
Serie:
PowerTrench
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
180 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.8V
Dissipazione di potenza massima:
500 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-25 V, +25 V
Lunghezza:
2.92mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
transistor a effetto campo
,
6710447
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
FDN352AP
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