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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 23 mΩ, 7,5 A, SOIC, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-6710491
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FDS3672
EAN/GTIN:
5059042845419
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa. Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
7,5 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
SOIC
Serie:
UltraFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
23 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
2,5 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
6710491
,
Semiconduttori
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Discreti
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onsemi
,
FDS3672
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