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Raddrizzatore, diodi, transistori
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Transistori
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Transistor di potenza
>
Articolo
MOSFET onsemi, canale P, 185 mΩ, 2,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-6889130
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NTF2955T1G
EAN/GTIN:
5059042105292
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
2,6 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-223
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
185 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Dissipazione di potenza massima:
2,3 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.5mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
6889130
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NTF2955T1G
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