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IGBT Vishay, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, SOT-227


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N. Articolo:
     3369E-7004425
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     VS-GA200SA60UP
EAN/GTIN:
     5059040876422
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
Moduli IGBT, Vishay. I moduli IGBT ad elevata efficienza Vishay vengono forniti con una scelta di tecnologie IGBT PT, NPT e Trench. La gamma comprende interruttori singoli, inverter, chopper, half-bridge o in configurazioni personalizzate. Questi moduli IGBT sono progettati per essere utilizzati come un dispositivo di commutazione principale in alimentatori switching, alimentatori continui, saldatura industriale, azionamenti e sistemi di correzione del fattore di potenza. Tra le applicazioni tipiche: convertitori boost e buck, convertitori diretti e convertitori diretti doppi, half bridge, full bridge (H-bridge) e ponti trifase.. Vasta gamma di tipi di contenitore standard industriale Montaggio diretto su dissipatore Scelta di tecnologie IGBT PT, NPT e Trench IGBT Low-VCE(on) Frequenza di commutazione da 1 kHz a 150 kHz Robuste prestazioni contro i transienti Alta tensione di isolamento fino a 3500 V Al 100 % senza piombo e conformi alla direttiva RoHS Bassa resistenza termica Ampia gamma di temperature d'esercizio (da -40 °C a +175 °C)
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
200 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Tipo di package:
SOT-227
Tipo di montaggio:
Montaggio a pannello
Tipo di canale:
N
Numero pin:
4
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
38.3 x 25.7 x 12.3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: transistor igbt, 7004425, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Vishay, VSGA200SA60UP
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