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MOSFET DiodesZetex, canale N, 3,5 Ω, 200 mA, SOT-363, Montaggio superficiale


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-7082481
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     BSS138DW-7-F
EAN/GTIN:
     5059043959955
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
200 mA
Tensione massima drain source:
50 V
Tipo di package:
SOT-363
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
3,5 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.5V
Dissipazione di potenza massima:
200 mW
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
2.2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, 7082481, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, BSS138DW7F
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