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MOSFET Nexperia, canale N, 350 mΩ, 860 mA, SOT-363, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-7258394
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PMGD290XN,115
EAN/GTIN:
     5059043877341
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale doppio N, Nexperia
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
860 mA
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-363
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
350 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.5V
Tensione di soglia gate minima:
0.5V
Dissipazione di potenza massima:
410 mW
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-12 V, +12 V
Lunghezza:
2.2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 7258394, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, PMGD290XN,115
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