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MOSFET DiodesZetex, canale N, 10 Ω, 170 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7384926
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     BSS123-7-F
EAN/GTIN:
     5059043721408
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
170 mA
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
10 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
300 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 7384926, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, BSS1237F
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MOSFET onsemi, TSOT-23, Montaggio superficiale
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