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MOSFET Infineon, canale N, 150 mΩ, 2,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7532816
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSP318S
EAN/GTIN:
     5059043799780
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale N Infineon SIPMOS®
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
2,6 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-223
Serie:
SIPMOS®
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
150 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2V
Tensione di soglia gate minima:
1.2V
Dissipazione di potenza massima:
1,8 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.5mm
Altri termini di ricerca: 7532816, Semiconduttori, Discreti, Infineon, BSP318S
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