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MOSFET onsemi, canale N, 2 mΩ, 30 A, Power 33, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7741187
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMC8010
EAN/GTIN:
     5059042003956
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
30 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
Power 33
Serie:
PowerTrench
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
2 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1.2V
Dissipazione di potenza massima:
54 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3.3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 7741187, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDMC8010
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