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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 17 mΩ, 130 A, Max247, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-7833028
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STY139N65M5
EAN/GTIN:
     5059042388497
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics. I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
130 A
Tensione massima drain source:
710 V
Tipo di package:
Max247
Serie:
MDmesh M5
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
17 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
625 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-25 V, +25 V
Lunghezza:
15.9mm
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 7833028, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STY139N65M5
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