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MOSFET Vishay, canale P, 19 Ω, 6 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-7879222
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI2333DDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040658561
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
6 A
Tensione massima drain source:
12 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
19 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.4V
Dissipazione di potenza massima:
1,7 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
3.04mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 7879222, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SI2333DDST1GE3
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