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MOSFET Vishay, canale P, 9,8 mΩ, 35 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-7879248
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI7615ADN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040679412
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
35 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
PowerPAK 1212-8
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
9,8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.4V
Dissipazione di potenza massima:
52 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-12 V, +12 V
Lunghezza:
3.4mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 7879248, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SI7615ADNT1GE3
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