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MOSFET Vishay, canale P, 71 mΩ, 12 A, PowerPAK SC-70, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7879288
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIA447DJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040842397
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
mosfet 12a
transistor di potenza
MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
12 A
Tensione massima drain source:
12 V
Tipo di package:
PowerPAK SC-70
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
71 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.4V
Dissipazione di potenza massima:
19 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
1.7mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 7879288, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIA447DJT1GE3
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