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MOSFET Vishay, canale N, 3,5 mΩ, 40 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-7879373
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIRA06DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040748484
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
40 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
PowerPAK SO-8
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
3,5 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1.1V
Dissipazione di potenza massima:
62,5 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-16 V, +20 V
Lunghezza:
6.25mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 7879373, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIRA06DPT1GE3
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