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IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-247


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N. Articolo:
     3369E-7917630
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGW30V60DF
EAN/GTIN:
     5059042285017
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
ESBT discreti, ST Microelectronics
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
30 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
258 W
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: transistor igbt, 7917630, Semiconduttori, Discreti, IGBT, STMicroelectronics, STGW30V60DF
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Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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