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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 8 mΩ, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7925697
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STB100N10F7
EAN/GTIN:
     5059042397789
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics. I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
80 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
STripFET H7
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
150 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.4mm
Altri termini di ricerca: 7925697, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STB100N10F7
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