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MOSFET Nexperia, canale P, 200 mΩ, 1 A, SOT-323, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7982757
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PMF170XP
EAN/GTIN:
     5059043720524
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale P, Nexperia
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
1 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-323
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
200 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.15V
Tensione di soglia gate minima:
0.65V
Dissipazione di potenza massima:
1,67 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-12 V, +12 V
Lunghezza:
2.2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 7982757, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, PMF170XP
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