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MOSFET Nexperia, canale N, 25 mΩ, 44 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-7982851
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN017-60YS,115
EAN/GTIN:
     5059043093086
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
44 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
25 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
74 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: 7982851, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, PSMN01760YS,115
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