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MOSFET onsemi, canale P, 150 mΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8021478
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTF5P03T3G
EAN/GTIN:
     5059042368024
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
2,9 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOT-223
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
150 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
3,13 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.7mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 8021478, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NTF5P03T3G
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