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IGBT Littelfuse, VCE 365 V, IC 50 A, canale N, D2PAK (TO-263)


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8051753
Produttore:
     Littelfuse
N. Art. Produtt.:
     NGB8207ABNT4G
EAN/GTIN:
     5059041441889
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
SMD transistor
Transistor SMD
IGBT discreto, ON Semiconductor. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
50 A
Tensione massima collettore emitter:
365 V
Tensione massima gate emitter:
±15V
Dissipazione di potenza massima:
165 W
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
10.29 x 9.65 x 4.83mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, smd transistor, 8051753, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Littelfuse, NGB8207ABNT4G
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