Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 3369E-8051753 N. Art. Produtt.: NGB8207ABNT4G EAN/GTIN: 5059041441889 |
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![](/p.gif) | IGBT discreto, ON Semiconductor. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate. Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Corrente massima continuativa collettore: | 50 A | Tensione massima collettore emitter: | 365 V | Tensione massima gate emitter: | ±15V | Dissipazione di potenza massima: | 165 W | Tipo di package: | D2PAK (TO-263) | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Tipo di canale: | N | Numero pin: | 3 | Configurazione transistor: | Singolo | Dimensioni: | 10.29 x 9.65 x 4.83mm | Massima temperatura operativa: | +175 °C | Minima temperatura operativa: | -55 °C |
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