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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET onsemi, canale P, 80 mΩ, 24 A, TO-220, Su foro
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-8061230
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NDP6020P
EAN/GTIN:
5059042126181
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor. La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce. Caratteristiche e vantaggi:. Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata Progettazione celle ad alta densità Corrente di saturazione elevata Commutazione superiore Prestazioni robuste e affidabili Tecnologia DMOS. Applicazioni:. Commutazione del carico Convertitore DC/DC Protezione della batteria Controllo della gestione dell'alimentazione Comando motore DC
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
24 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
TO-220
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
80 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.4V
Dissipazione di potenza massima:
60 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
8061230
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NDP6020P
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