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IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-3PF


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8070763
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FGAF40N60SMD
EAN/GTIN:
     5059042026290
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
IGBT discreti, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
80 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
115 W
Tipo di package:
TO-3PF
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
15.7 x 3.2 x 26.7mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: transistor igbt, 8070763, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, FGAF40N60SMD
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Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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