IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 225 A, canale N, PLUS247

IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdita di energia minima. Questi dispositivi offrono tempi di commutazione rapidi con bassa corrente di coda e sono disponibili in una varietà di pacchetti con standard del settore e proprietari. Elevata densità di potenza e bassa tensione di saturazione Aree di sicurezza in polarizzazione inversa (RBSOA, Reverse Bias Safe Operating Areas) quadrata fino al valore previsto di tensione di scarica distruttiva Capacità di corto circuito per 10 μsec Coefficiente di temperatura positivo, tensione in stato attivo Diodi in pacchetto combinato opzionale Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ Pacchetti per alta tensione con standard internazionale e proprietario