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MOSFET Vishay, canale N, 22 mΩ, 12 A, SOT-363, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-8141222
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIA462DJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040805811
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
mosfet 12a
transistor di potenza
MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
12 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOT-363
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
22 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1.2V
Dissipazione di potenza massima:
19 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
2.15mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 8141222, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIA462DJT1GE3
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