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MOSFET Vishay, canale N, 63 mΩ, 5,1 A, SC-75, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8141247
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIB406EDK-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040742031
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale N, da 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
5,1 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SC-75
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
63 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.6V
Dissipazione di potenza massima:
10 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-12 V, +12 V
Lunghezza:
1.7mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 8141247, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIB406EDKT1GE3
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