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Raddrizzatore, diodi, transistori
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Transistori
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Transistor di potenza
>
Articolo
MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 85 mΩ, 190 mΩ, 2 A, 4,5 A, TSOT-26, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
Chiudi finestra
N. Articolo:
3369E-8232915
Produttore:
Diodes
N. Art. Produtt.:
DMG6601LVT-7
EAN/GTIN:
5059043268606
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N, P
Corrente massima continuativa di drain:
2 A, 4,5 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
TSOT-26
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
85 mΩ, 190 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
1,3 W
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-12 V, +12 V
Lunghezza:
2.9mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
8232915
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
DiodesZetex
,
DMG6601LVT7
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