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MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 85 mΩ, 190 mΩ, 2 A, 4,5 A, TSOT-26, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-8232915
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG6601LVT-7
EAN/GTIN:
     5059043268606
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N, P
Corrente massima continuativa di drain:
2 A, 4,5 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
TSOT-26
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
85 mΩ, 190 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
1,3 W
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-12 V, +12 V
Lunghezza:
2.9mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: 8232915, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMG6601LVT7
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