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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET Infineon, canale P, 9,6 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-8259266
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
BSC060P03NS3EG
EAN/GTIN:
5059043012056
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™. I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS ™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono: CC-CC, controllo di motori, settore automobilistico ed eMobility.. Modalità potenziata Classificazione Avalanche Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione Placcatura senza piombo; conformità Rohs Contenitori standard Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
TDSON
Serie:
OptiMOS P
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
9,6 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.9V
Tensione di soglia gate minima:
3.1V
Dissipazione di potenza massima:
83 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-25 V, +25 V
Lunghezza:
6.35mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
8259266
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
BSC060P03NS3EG
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