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MOSFET Infineon, canale N, 4 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8270002
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     2N7002DWH6327XTSA1
EAN/GTIN:
     5059043509426
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET doppia potenza Infineon OptiMOS™
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
300 mA
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-363
Serie:
OptiMOS™
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
4 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Tensione di soglia gate minima:
1.5V
Dissipazione di potenza massima:
500 mW
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
2mm
Altri termini di ricerca: 8270002, Semiconduttori, Discreti, Infineon, 2N7002DWH6327XTSA1
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