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MOSFET Infineon, canale N, 20 Ω, 110 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-8270070
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSS131H6327XTSA1
EAN/GTIN:
     5059043512594
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale N Infineon SIPMOS®
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
110 mA
Tensione massima drain source:
240 V
Tipo di package:
SOT-23
Serie:
SIPMOS®
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
20 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.8V
Tensione di soglia gate minima:
0.8V
Dissipazione di potenza massima:
360 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
2.9mm
Altri termini di ricerca: 8270070, Semiconduttori, Discreti, Infineon, BSS131H6327XTSA1
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