MOSFET Microchip, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Transistor MOSFET con modalità di esaurimento a canale N Supertex. La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione. Caratteristiche. Elevata impedenza di ingresso Bassa capacità d'ingresso Velocità elevata di commutazione Bassa resistenza all'accensione Privi di scarica secondaria Bassa dispersione in ingresso e in uscita. Applicazioni. Interruttori normalmente attivi Relè a stato solido Convertitori Amplificatori lineari Sorgenti di corrente costante Circuiti di alimentazione Telecomunicazioni