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Transistor di potenza
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Articolo
IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-8297136
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STGWT80H65DFB
EAN/GTIN:
5059042700848
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
ESBT discreti, ST Microelectronics
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
120 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
469 W
Tipo di package:
TO-3P
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
15.8 x 5 x 20.1mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
IGBT
Altri termini di ricerca:
transistor igbt
,
8297136
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IGBT
,
STMicroelectronics
,
STGWT80H65DFB
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Tipo
Immagine
Articolo
N. Art. Produtt.
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 9 → 18 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
a partire da € 16,195*
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217
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