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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 100 mΩ, 4,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-8303300
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IRLL024NTRPBF
EAN/GTIN:
5059043023960
Termini di ricerca:
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
MOSFET
mosfet di potenza sot-223
MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
4,4 A
Tensione massima drain source:
55 V
Tipo di package:
SOT-223
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
100 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2V
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
2,1 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-16 V, +16 V
Lunghezza:
6.7mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
mosfet di potenza
,
8303300
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IRLL024NTRPBF
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