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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8427905
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NGTB40N65FL2WG
EAN/GTIN:
     5059042368208
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
IGBT discreto, ON Semiconductor. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
80 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
366 W
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: transistor igbt, 8427905, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, NGTB40N65FL2WG
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Accessori
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 9 → 18 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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