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MOSFET onsemi, canale N, 5,8 mΩ, 80 A, PQFN8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8644728
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMS86300
EAN/GTIN:
     5059042235562
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
80 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
PQFN8
Serie:
PowerTrench
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
5,8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
104 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 8644728, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDMS86300
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