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MOSFET IXYS, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-8752471
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     MMIX1F520N075T2
EAN/GTIN:
     5059041405225
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
500 A
Tensione massima drain source:
75 V
Tipo di package:
SMPD
Serie:
GigaMOS, HiperFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
24
Resistenza massima drain source:
1,6 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Dissipazione di potenza massima:
830 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
25.25mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: 8752471, Semiconduttori, Discreti, IXYS, MMIX1F520N075T2
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