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MOSFET IXYS, canale N, 1,3 mΩ, 550 A, SMPD, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-8752500
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     MMIX1T550N055T2
EAN/GTIN:
     5059041739504
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
550 A
Tensione massima drain source:
55 V
Tipo di package:
SMPD
Serie:
GigaMOS, HiperFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
24
Resistenza massima drain source:
1,3 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.8V
Dissipazione di potenza massima:
830 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
25.25mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: 8752500, Semiconduttori, Discreti, IXYS, MMIX1T550N055T2
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