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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET Vishay, canale N, 125 mΩ, 29 A, TO-220FP, Su foro
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-9034490
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SiHF30N60E-GE3
EAN/GTIN:
5059040641525
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N, serie E, bassa figura di merito, Vishay Semiconductor. I MOSFET di potenza serie E di Vishay sono transistori ad alta tensione con resistenza massima ultra-bassa, bassa figura di merito e commutazione rapida. Sono disponibili in un'ampia gamma di correnti nominali. Le applicazioni tipiche includono server e alimentatori di telecomunicazione, illuminazione a LED, convertitori flyback, correzione del fattore di potenza (PFC) e alimentatori switching (SMPS). Caratteristiche. Bassa figura di merito (FOM) RDS(on) x Qg Bassa capacità di ingresso (Ciss) Bassa resistenza (RDS(on)) Carica del gate ultrabassa (Qg) Commutazione rapida Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
29 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO-220FP
Serie:
E Series
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
125 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
37 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
10.63mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
9034490
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Vishay
,
SiHF30N60EGE3
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