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IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252)


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N. Articolo:
     3369E-9062798
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGD5H60DF
EAN/GTIN:
     5059042734140
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
SMD transistor
Transistor SMD
ESBT discreti, ST Microelectronics
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
10 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
83 W
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Classe di efficienza energetica:
221mJ
Capacità del gate:
855pF
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, smd transistor, 9062798, Semiconduttori, Discreti, IGBT, STMicroelectronics, STGD5H60DF
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