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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 8,6 mΩ, 40 A, TDSON, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-9064331
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
BSZ065N03LSATMA1
EAN/GTIN:
5059043837987
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.. Canale N - modalità potenziata Qualifica per uso automobilistico AEC Q101 MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C Temperatura d'esercizio: 175 °C Contenitore verde (senza piombo) Rds(on) ultra bassa
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
40 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
TDSON
Serie:
OptiMOS™
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
8,6 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Dissipazione di potenza massima:
26 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3.4mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
9064331
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
BSZ065N03LSATMA1
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