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MOSFET Infineon, canale N, 24 mΩ, 55 A, TDSON, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-9110780
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSC123N08NS3GATMA1
EAN/GTIN:
     5059043057545
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche. MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione Canale N, livello logico Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM) Resistenza R DS(on) molto bassa Placcatura senza piombo
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
55 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
TDSON
Serie:
OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
24 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
66 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5.35mm
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 9110780, Semiconduttori, Discreti, Infineon, BSC123N08NS3GATMA1
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