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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 80 A, TO-247


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N. Articolo:
     3369E-9114789
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKW75N60TFKSA1
EAN/GTIN:
     5059043272412
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido. Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V VCEsat molto bassa Poche perdite di spegnimento Bassa corrente di coda EMI ridotte Temperatura di giunzione massima: 175 °C
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
80 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
428 W
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
16.03 x 21.1 x 5.16mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-40 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 9114789, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKW75N60TFKSA1
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MGJ2D051509SC
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Accessori
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Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 9 → 18 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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