Categorie
Italia
Italiano
My Mercateo
Accedi / Registrati		Carrello
 		 
 >  >  >  >  >  > Articolo

MOSFET Infineon, canale N, 8 mΩ, 110 A, TO247AC, Su foro


Quantità:  pezzi  
Informazioni sul prodotto
Product Image
Product Image
Additonal Images
N. Articolo:
     3369E-9194808
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFP064NPBF
EAN/GTIN:
     5059043007861
Termini di ricerca:
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
MOSFET
mosfet di potenza
MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
110 A
Tensione massima drain source:
55 V
Tipo di package:
TO247AC
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
200 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
15.9mm
Altri termini di ricerca: 9194808, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFP064NPBF
Riepilogo condizioni1
Tempi di consegna
Stato magazzino
Prezzo
€ 2,265*
  
Il prezzo è valido a partire da 25 pezzi
Ordini solo in multipli di 25 pezzi
Scegli condizioni
Consiglia articoloAggiungi alla lista d’acquisto
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217