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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2 Ω, 5,8 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-9206639
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STB6NK90ZT4
EAN/GTIN:
     5059042252897
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
5,8 A
Tensione massima drain source:
900 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
2 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
140 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
10.4mm
Altri termini di ricerca: 9206639, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STB6NK90ZT4
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