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MOSFET DiodesZetex, canale P, 190 mΩ, 5,9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-9228507
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     ZXMP10A18KTC
EAN/GTIN:
     5059043302744
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale P, da 100 V a 450 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
5,9 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
190 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Dissipazione di potenza massima:
10,2 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.73mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 9228507, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, ZXMP10A18KTC
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