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Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolare; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolare; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A
Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolare; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A
N. Articolo:
     5068-2N7002BKV.115
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     2N7002BKV,115
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT666
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 0,24A
Resistenza nello stato di conduzione: 2Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 0,525W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 0,6nC
Tecnologia: Trench
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 1,2A
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Accessori
MOSFET Nexperia, canale N, 2 Ω, 350 mA, SOT-23, Montaggio superficiale
Nexperia
2N7002BK,215
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