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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolare; 60V; 0,28A; Idm: 1,2A


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolare; 60V; 0,28A; Idm: 1,2A
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolare; 60V; 0,28A; Idm: 1,2A
N. Articolo:
     5068-2N7002P.215
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     2N7002P,215
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23;TO236AB
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 0,28A
Resistenza nello stato di conduzione: 2Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,42W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 0,8nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: Trench
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 1,2A
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MOSFET Vishay, canale N, 0,052 O, 6,5 A, SO-8, Montaggio superficiale
Vishay
SI4946BEY-T1-E3
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